Gehalt aus Positionen in Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT rekrutiert für Positionen:
Mitarbeiter
Arbeitszeit
Vollzeit
Vertragstyp
Befristeter Vertrag
Gehalt
2089 € - 3134 € pro Monat
Entwicklungsingenieur
Sprache
deutsch
Verantwortlichkeiten
Kollaborative Entwicklung von modernen Leistungstransistoren auf der Basis von Silizium und Galliumnitrid
Adaption gängiger Halbleiterprozesse sowie Entwicklung von Prozessen der Galliumnitrid- und Silizium-Halbleitertechnologie
Konzeption von innovativen Leistungstransistoren mittels TCAD-Bauelemente- und Prozesssimulationen sowie Vorhersage und Optimierung ihrer Eigenschaften
Betreuung der Bauteilfertigung in unseren Reinräumen
Entwicklung von Simulationsmodellen und Vergleich mit Charakterisierungsergebnissen
Unterstützung der In-Line-Charakterisierung sowie der folgenden elektrischen Charakterisierung auf Wafer- und Die-Ebene
Bestimmung von Prozessparametern für die Fertigung in unseren Reinräumen
Unterstützung bei der Integration der Bauelemente in leistungselektronische Systeme
Anforderung
Ein hohes Maß an Selbstständigkeit, Eigeninitiative und Einsatzbereitschaft
Gute Kenntnisse der Schaltungstechniken für die Charakterisierung von Leistungshalbleiterbauelementen
Fließende Beherrschung der deutschen und englischen Sprache in Wort und Schrift
Erfahrung im Bauelementedesign und in der Prozess-/Bauelementesimulation von SJ- und Trench-MOSFETs ist von Vorteil
Fähigkeit, sich schnell in neue Problemstellungen einzuarbeiten und im Team Verantwortung zu übernehmen
Erfahrung in der Anwendung von TCAD- und Layout-Software
Abteilungsleiter
Arbeitszeit
Teilzeit
Vollzeit
Vertragstyp
Befristeter Vertrag
Gehalt
4175 € - 8135 € pro Monat
Industriemechaniker
Arbeitszeit
Vollzeit
Vertragstyp
Befristeter Vertrag
Gehalt
2600 € - 3650 € pro Monat
IT Administrator
Arbeitszeit
Homeoffice möglich
Vollzeit
Vertragstyp
Befristeter Vertrag
Gehalt
2140 € - 3640 € pro Monat
Werkstudent
Sprache
englisch
deutsch
Development
Anforderung
A high degree of independence, initiative, and commitment, combined with a high level of curiosity and willingness to learn
Ability to quickly familiarize with new problems and to take responsibility in a team environment
Fluency in spoken and written English
Practical experience with wide band-gap transistors
Direct communication and horizontal hierarchies for a smooth workflow
Communication of your results, both internally and externally